東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2,該閃存容量達(dá)到256Gb(32GB),同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元(TLC)技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用,包括消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)SSD。據(jù)悉,樣品將于9月開始發(fā)貨。
東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™
東芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝,超越主流2D NAND閃存的容量,同時(shí)提高了可寫入/擦除次數(shù)及可靠性,并提高了寫入速度。
自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存以來注3,東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產(chǎn)的研發(fā)。為更好地滿足快速增長(zhǎng)的閃存市場(chǎng)需求,東芝將瞄準(zhǔn)大容量、小型化的應(yīng)用領(lǐng)域,積極推動(dòng)3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存,推出SSD等產(chǎn)品組合。
東芝于1987年在世界上最早開發(fā)出NAND閃存,作為閃存世界的締造者,一直秉承專業(yè)的精神,為消費(fèi)者提供高速、優(yōu)質(zhì)的專業(yè)閃存體驗(yàn)。目前,這一產(chǎn)品在東芝四日市工廠開始生產(chǎn),預(yù)計(jì)于2016年上半年完工的新工廠也將生產(chǎn)該產(chǎn)品。
注1:據(jù)東芝調(diào)查。
注2:一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu),相比平面NAND閃存(存儲(chǔ)單元位于硅基板上),極大地提高了密度。
注3:據(jù)2007年6月12日東芝發(fā)布資料
* BiCS FLASH™是東芝公司的商標(biāo)。